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FF900R12ME7B11NPSA1

Name: Infineon FF900R12ME7B11NPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF900R12ME7B11N1
Price: 327.44 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-FF900R12ME7B11N1

Fabricante N.º:

FF900R12ME7B11NPSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module

Hoja de datos:

FF900R12ME7B11NPSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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100	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
RoHS:	N
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	Dual
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.5 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	900 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	EconoDUAL
Alias de las piezas n.º:	FF900R12ME7_B11 SP005422550

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Módulo IGBT dual FF900R12ME7_B11

El módulo IGBT dual FF900R12ME7_B11 de Infineon Technologies incluye el módulo EconoDUAL™ 3, el módulo dual TRENCHSTOP™ IGBT7, NTC y la tecnología de contacto PressFIT. Este módulo IGBT presenta una alta densidad de potencia, terminales mejoradas y un sensor de temperatura NTC integrado. El módulo FF900R12ME7_B11 cuenta con un ensamble sencillo y confiable, y evita la sincronización de los módulos IGBT. Este módulo IGBT puede almacenarse en un rango de temperatura de -40°C a 125°C. El módulo FF900R12ME7_B11 incluye una distancia de fuga optimizada para aplicaciones PV de 1500 V, pines de control pressFIT y terminales de potencia de tornillos. Este módulo IGBT es ideal para utilizar en dispositivos de control de motores, soluciones para sistemas de energía solar, unidades de servomotores y sistemas UPS.

Industrial Drives

Infineon Industrial Drives offer a broad portfolio of efficient semiconductors optimized for motor drives. The designer can rely on Infineon intelligent power modules (IPMs) and discretes for smart designs in the low-power range. For medium-power drives, the Infineon EasyPIM™, EasyPACK™, and EconoPIM™ modules are the perfect match. Moving on to the high-power spectrum, EconoDUAL™ and PrimePACK™ are the solutions of choice. These are combined with the innovative .XT interconnection technology. PrimePACK modules can help designers overcome the overrating dilemma by extending the lifetime by raising thermal and power cycling capabilities.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.