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NVTFS5826NLWFTWG-UM

Name: onsemi NVTFS5826NLWFTWG-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-TFS5826NLWFTWGUM
Price: 2.03 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-TFS5826NLWFTWGUM

Fabricante N.º:

NVTFS5826NLWFTWG-UM

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 60V 20A 25MOHM

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$0.553	$2,765.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	22 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	29 ns
Serie:	NVTFS5826NL
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns

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NVTFS5826NLWFTWG-UM Hoja de datos

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Single P-Channel Power MOSFETs

onsemi Single P-Channel Power MOSFETs offer a small footprint for compact designs, low R_DS(on) to minimize conduction losses, and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. onsemi Single P-Channel Power MOSFETs are lead−free and are suitable for automotive and other applications requiring AEC−Q101 qualified site and change controls.