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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Hoja de datos
1,615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Hoja de datos
690En existencias
240Se espera el 15/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Hoja de datos
144En existencias
480Se espera el 27/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Hoja de datos
483En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
1,031En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Hoja de datos
754En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
Hoja de datos
1,992En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
Hoja de datos
480Se espera el 06/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC