NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88584Q5DC
1,423En pedido
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Si SMD/SMT VSON-CLIP-22 N-Channel 2 Channel 40 V 50 A 680 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 137 nC - 55 C + 150 C 12 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88599Q5DC
1,750Se espera el 19/03/2026
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Carrete: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-22 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 43 nC - 55 C + 150 C 12 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3D Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 20 A 9.1 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3D Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
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Carrete: 250

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 15 A 13.4 mOhms 950 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel