Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

RS1G201ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1G201ATTB1
Price: 2.3 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-RS1G201ATTB1

Fabricante N.º:

RS1G201ATTB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 P-CH 40V 20A

Hoja de datos:

RS1G201ATTB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1

En existencias: 6,413

Existencias:: 6,413 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$2.30	$2.30
	$2.20	$22.00
	$2.11	$211.00
	$1.85	$925.00
	$1.70	$1,700.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.50	$3,750.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSOP-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	78 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	130 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	250 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	98 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	330 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns
Alias de las piezas n.º:	RS1G201AT
Peso de la unidad:	771.020 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

RS1G201ATTB1 Hoja de datos

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RS1G201ATTB1 Power MOSFET

ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1 Power MOSFET features Pb-free plating, low on-resistance, and HSOP8 small surface-mount package. This MOSFET operates at -55°C to 150°C temperature range, -40V drain-source voltage, ±80A pulsed drain current, and ±20V gate-source voltage. The RS1G201ATTB1 power MOSFET is ideal for use in load switching.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.