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NTMFS0D8N02P1ET1G

Name: onsemi NTMFS0D8N02P1ET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D8N02P1ET1
Price: 5.36 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS0D8N02P1ET1

Fabricante N.º:

NTMFS0D8N02P1ET1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 25V 0.8 MOHM SO8FL

Hoja de datos:

NTMFS0D8N02P1ET1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$5.36	$5.36
	$3.52	$35.20
	$2.48	$248.00
	$2.25	$1,125.00
	$2.09	$2,090.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$2.09	$3,135.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	365 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	680 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	52 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	139 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTMFS0D8N02P1E
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	175 mg

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Hoja de datos

NTMFS0D8N02P1ET1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFS0D8N02P1E N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS0D8N02P1E MOSFET exhibits a compact design, excellent thermal performance, and a small footprint in an advanced SO-8FL 5mm x 6mm package. This single N-channel MOSFET offers low Q_G/capacitance to minimize driver losses and deliver ultra-low R_DS(on) to minimize conduction losses. onsemi NTMFS0D8N02P1E MOSFET is ideal for DC-DC converters, power load switches, motor control, battery management, notebook and desktop PCs, servers, telecom, computing, and communication devices.