TGS2355

Qorvo
772-TGS2355
TGS2355

Fabricante:

Descripción:
Circuitos integrados de interruptores de RF .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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N.º de artículo del Fabricante:
TGS2355-SM
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Tray
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En existencias
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$279.06
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Circuitos integrados de interruptores de RF
RoHS:  
SPDT
500 MHz
6 GHz
1.3 dB
40 dB
- 55 C
+ 150 C
SMD/SMT
Die
Si
TGS2355
Gel Pack
Marca: Qorvo
Voltaje de control alto: - 48 V
Número de interruptores: Single
Corriente de suministro operativa: 1 mA
Dp - Disipación de potencia : 36.8 W
Tipo de producto: RF Switch ICs
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
Alias de las piezas n.º: 1097157
Peso de la unidad: 1 g
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Atributos seleccionados: 0 

                        
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5-0810-13

Hoja de datos

PCN

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MXHTS:
8542399901
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

TGS2355 High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355 High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). Operating from 0.5GHz to 6.0GHz, the TGS2355 provides up to 100W input power handling with <1dB insertion over most of the operating band and greater than 40dB isolation.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

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