TGS2355-SM

Qorvo
772-TGS2355-SM
TGS2355-SM

Fabricante:

Descripción:
Circuitos integrados de interruptores de RF .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Circuitos integrados de interruptores de RF
RoHS:  
SPDT
500 MHz
6 GHz
1.1 dB
40 dB
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
QFN-32
Si
TGS2355
Tray
Marca: Qorvo
Voltaje de control alto: - 48 V
Sensibles a la humedad: Yes
Número de interruptores: Single
Corriente de suministro operativa: 1 mA
Dp - Disipación de potencia : 35 W
Tipo de producto: RF Switch ICs
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
Alias de las piezas n.º: TGS2355 1097064
Peso de la unidad: 5.058 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
MXHTS:
8542399999
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

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Qorvo TGS2355-SM High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch that operates from 0.5GHz to 6.0GHz. Fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25), the TGS2355-SM provides up to 100W input power handling with <1.1dB insertion loss over most of the operating band and greater than 40dB isolation. These qualities make the TGS2355-SM GaN Switch ideal for high-power switching applications across both defense and commercial platforms.