Términos internacionales de comercio (Incoterms):DDP Todos los precios incluyen los costos de aranceles y aduana para los métodos de envío seleccionados.
Confirme su elección de moneda:
Dólares estadounidenses Envío sin cargo para la mayoría de los pedidos superiores a $100 (USD)
Las imágenes son para referencia solamente Ver especificaciones del producto
Compartir esto
En este momento no se puede generar el enlace. Intente nuevamente.
FET LDMOS y JFET de RF 5G
Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) y los FET de semiconductores de óxido metálico de difusión lateral (LDMOS) de RF 5G de MACOM son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la próxima generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) GaN en SiC, sincronización de entrada, alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin orejas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiestándar.
