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SI8410DB-T2-E1

Name: Vishay SI8410DB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8410DB-T2-E1
Price: 1.7 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SI8410DB-T2-E1

Fabricante N.º:

SI8410DB-T2-E1

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

Hoja de datos:

SI8410DB-T2-E1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.70	$1.70
	$1.17	$11.70
	$0.822	$82.20
	$0.663	$331.50
	$0.607	$607.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.524	$1,572.00
	$0.514	$3,084.00
	$0.499	$11,976.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	37 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	850 mV
Qg - Carga de puerta:	10.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.8 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SI8
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

SI8410DB-T2-E1 Hoja de datos

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

MXHTS:: 85412999
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

Si8410DB N-Channel 20V (D-S) MOSFET

Vishay Si8410DB is an N-Channel 20V (D-S) MOSFET that's ultra-small and ultra-thin using the Micro Foot package with a footprint area of 1mm by 1mm. It has a drain-source voltage of 20V, is RoHS compliant and Halogen free. The Si8410DB is typically used for load switches, power management and high speed switches.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.