Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
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BSZ075N08NS5ATMA1

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726-BSZ075N08NS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.83
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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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Enhancement

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BSC009NE2LS5IATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB017N08N5ATMA1
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120 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

80 V

120 A

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300 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5ATMA1
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BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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BSC061N08NS5ATMA1

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TDSON-8

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82 A

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BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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BSC117N08NS5ATMA1

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726-BSC117N08NS5ATMA

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TDSON-8

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49 A

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+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.00
2,595En existencias
5,000Se espera el 02/07/2026

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BSC026NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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2,595En existencias

5,000Se espera el 02/07/2026

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$0.88

$0.722

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$0.577

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

82 A

4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.98
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BSC040N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC040N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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155En existencias

20,000En pedido

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$3.98

$2.56

$1.77

$1.43

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$1.12

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.07
58,475En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

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$1.82

$1.52

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$1.28

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.68
30,160En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ110N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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$2.68

$1.68

$1.11

$0.879

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

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