Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 3,868En existencias
Cinta cortada
$2.85
$1.38
$1.23
$0.976
$0.906
Envase tipo carrete
$0.814
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 5,586En existencias
Cinta cortada
$2.48
$1.59
$1.06
$0.839
Envase tipo carrete
$0.676
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 12,587En existencias
Cinta cortada
$2.52
$1.20
$1.06
$0.839
Envase tipo carrete
$0.68
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 2,440En existencias
2,500Se espera el 26/10/2026
Cinta cortada
$3.61
$2.05
$1.59
$1.34
Envase tipo carrete
$1.09
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 164En existencias
2,000Se espera el 24/12/2026
$3.19
$1.56
$1.39
$1.11
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 5En existencias
2,500Se espera el 18/02/2027
Cinta cortada
$4.41
$2.50
$1.92
$1.59
$1.52
Envase tipo carrete
$1.37
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 706En existencias
63,000En pedido
Cinta cortada
$1.92
$0.898
$0.798
$0.623
$0.603
Envase tipo carrete
$0.477
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 3.7 Ohms 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,999En pedido
$3.41
$1.60
$1.44
$1.22
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
$4.42
$2.21
$2.00
$1.61
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube