Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

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4 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

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37 W

Enhancement

CoolMOS

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

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Enhancement

CoolMOS

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1 Channel

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6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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52 W

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1 Channel

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6 A

1.2 Ohms

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15 nC

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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14 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

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DPAK-3 (TO-252-3)

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9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

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23 nC

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73 W

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