Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Resultados: 450
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 2,800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si LFPAK-4 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A 2,875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 138 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel 5,635En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 9,612En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 5,560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 2,441En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF 5,267En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL 18,355En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 109 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 114 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL 2,520En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 2,953En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO 498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 370 A 560 uOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 139 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 504En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 159 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.2 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 1,113En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 116 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 1,496En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1,467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN 1,265En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL 447En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 2,800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si LFPAK-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 2,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si LFPAK-4 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM 1,394En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM 1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM 794En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 1,297En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 3.3 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape