Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Resultados: 450
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH 8,565En existencias
9,000Se espera el 21/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 553.8 A 400 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 341 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION 3,249En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT Power88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 533 A 480 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 187 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH 3,105En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 90
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 464 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 225 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH 2,912En existencias
3,000Se espera el 30/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 464 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 378 A 700 uOhms 20 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK 3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si LFPAK-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 2,900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 77 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM 3,583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMFS4C301NET1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO 501En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS5C426NWFHT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA 1,503En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 373A 750MO 2,453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET 6,828En existencias
2,593Se espera el 23/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 760 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 200A 7,140En existencias
118,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET 4,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8 12,858En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 37 A 17.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH 1,856En existencias
3,000Se espera el 26/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 89 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 68A 6.7MOH 20,504En existencias
51,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 16,820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel 2,988En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel 2,751En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 31 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 24 nC, 52 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION 1,764En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
: 3,000
Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 554.5 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 265 nC - 55 C + 175 C 245.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION 1,470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 533 A 480 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 187 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH 3,189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330
: 3,000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 477 A 680 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 225 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK 2,985En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 38 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel