Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Resultados: 450
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Hoja de datos
1,040En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 110
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 28 A 26 mOhms 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
Hoja de datos
2,220En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 780
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 9.4 mOhms 20 V 2.1 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm
Hoja de datos
1,450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.2 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
Hoja de datos
5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
: 5,000

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 670 uOhms 20 V 2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
Hoja de datos
2,884En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Hoja de datos
1,252En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 670 uOhms 20 V 2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 9.2 mOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 378 A 700 uOhms 20 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP
Hoja de datos
2,917En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 2 Channel 30 V 57 A, 165 A - 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V 3 V 7.9 nC, 43 nC - 55 C + 150 C 25 W, 41 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
Hoja de datos
27,865En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS4C301NET1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
Hoja de datos
1,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS4C301NWFET1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
Hoja de datos
1,360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9.2 mOhms 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SO8FL
Hoja de datos
1,321En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 820 uOhms 20 V 2 V 143 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
1,484En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
1,432En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 110
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL
Hoja de datos
1,947En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 180
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
Hoja de datos
1,483En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
Hoja de datos
1,470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
1,055En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
2,726En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL
Hoja de datos
1,411En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 4.7 mOhms 20 V 2 V 33.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel