Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 125

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $0.832
13,265En existencias
5,000Se espera el 18/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

13,265En existencias

5,000Se espera el 18/03/2026

Cinta cortada

$0.832

$0.558

$0.385

$0.315

Envase tipo carrete

$0.265

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

22.7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.51
9,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

9,180En existencias

Cinta cortada

$1.51

$0.952

$0.627

$0.497

Envase tipo carrete

$0.403

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.22
4,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

4,161En existencias

Cinta cortada

$3.22

$2.05

$1.40

$1.17

Envase tipo carrete

$0.954

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

24 nC

- 50 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.08
4,801En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

4,801En existencias

Cinta cortada

$3.08

$1.96

$1.37

$1.16

Envase tipo carrete

$0.892

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.80
7,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

7,565En existencias

Cinta cortada

$4.80

$3.15

$2.21

$1.94

$1.86

Envase tipo carrete

$1.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $3.64
2,450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,450En existencias

Cinta cortada

$3.64

$2.34

$1.68

$1.40

Envase tipo carrete

$1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

149 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.11
5,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

5,774En existencias

Cinta cortada

$2.11

$1.34

$0.896

$0.733

Envase tipo carrete

$0.59

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.51
30,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R3K7P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

30,505En existencias

Cinta cortada

$1.51

$0.949

$0.625

$0.495

Envase tipo carrete

$0.402

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.43
947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

947En existencias

$5.43

$2.80

$2.54

$2.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.52
5,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

5,764En existencias

$3.52

$1.68

$1.56

$1.27

$1.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $15.65
310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

310En existencias

$15.65

$9.10

$7.98

$7.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

291 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.51
1,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,067En existencias

$5.51

$2.82

$2.78

$2.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.78
2,204En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,204En existencias

Cinta cortada

$1.78

$1.12

$0.742

$0.58

$0.528

Envase tipo carrete

$0.403

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $1.81
1,334En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R1K4P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R1K4P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

1,334En existencias

$1.81

$1.73

$1.44

$1.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 50 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $1.78
2,153En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R3K7P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,153En existencias

$1.78

$1.13

$0.745

$0.612

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.77
370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

370En existencias

$3.77

$1.87

$1.69

$1.35

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

374 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.42
741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

741En existencias

$2.42

$1.30

$1.03

$0.842

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.56
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R750P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

500En existencias

$2.56

$1.24

$1.11

$0.878

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

640 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.94
783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

783En existencias

$2.94

$1.43

$1.28

$1.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.36
611En existencias
1,000Se espera el 10/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R080P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

611En existencias

1,000Se espera el 10/03/2026

Cinta cortada

$6.36

$4.23

$3.00

$2.83

Envase tipo carrete

$2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.60
980En existencias
2,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

980En existencias

2,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

$3.60

$2.35

$1.63

$1.34

Envase tipo carrete

$1.18

$1.09

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.68
3,217En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,217En existencias

Cinta cortada

$1.68

$1.06

$0.696

$0.551

Envase tipo carrete

$0.447

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

1.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.40
924En existencias
2,500Se espera el 16/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

924En existencias

2,500Se espera el 16/04/2026

Cinta cortada

$1.40

$0.857

$0.559

$0.432

Envase tipo carrete

$0.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 50 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.07
7,759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K4P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

7,759En existencias

Cinta cortada

$1.07

$0.667

$0.436

$0.334

Envase tipo carrete

$0.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

6.2 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.22
4,510En existencias
6,000Se espera el 02/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

4,510En existencias

6,000Se espera el 02/03/2026

Cinta cortada

$1.22

$0.763

$0.497

$0.382

Envase tipo carrete

$0.289

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

3.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W