NVMFS6H8x Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Power MOSFETs offer 80V, single N-channel, and a small footprint for a compact design. These power MOSFETs are available in 2.1mΩ, 2.8mΩ, 3.7mΩ, and 3.2mΩ RDS(on) resistance ranges. Features include low RDS(on) to minimize conduction losses, low QG, and low capacitance. The NVMFS6H8x power MOSFETs are RoHS compliant, PPAP capable, and AEC-Q101 qualified. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C operating temperature range.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 22,638En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 14,901En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 13,827En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 157 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 1,083En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 123 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel