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QPA3069TR7

Name: Qorvo QPA3069TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA3069TR7
Price: 662.29 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPA3069TR7

Fabricante N.º:

QPA3069TR7

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Amplificador de RF 2.7-3.5 GHz, 100W GaN PA

Hoja de datos:

QPA3069TR7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	2.7 GHz to 3.5 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	30 V
Corriente de suministro operativa:	300 mA
Ganancia:	31.7 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tecnología:	GaN SiC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	QPA3069
Empaquetado:	Reel
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPA3069EVB
Pérdida de retorno de entrada:	10 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	2 Channel
Dp - Disipación de potencia :	117 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Alias de las piezas n.º:	QPA3069

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Hoja de datos

QPA3069TR7 Hoja de datos (PDF)

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USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: 3A001.b.2.a.3

QPA3069 100W GaN Power Amplifier

Qorvo QPA3069 100W GaN Power Amplifier is a packaged, high-power S-band amplifier ideal for military radar systems. The amplifier covers a 2.7GHz to 3.5GHz frequency range and is fabricated on Qorvo’s production 0.25μm gallium nitride (GaN) with silicon carbide (SiC) processing (QGaN25). QPA3069 provides 50dBm saturated output power and 25dB large-signal gain while achieving 53% power-added efficiency. QPA3069 is packaged in a 7mm x 7mm 48-pin plastic overmolded package. QPA3069 MMIC has DC-blocking capacitors on both RF ports, which are matched to 50Ω.