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SIC10A065T-AU_T0_000A1

Name: Panjit SIC10A065T-AU_T0_000A1
Brand: Panjit
SKU: 241-SIC10A065TAUT000
Price: 6.36 USD
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

241-SIC10A065TAUT000

Fabricante N.º:

SIC10A065T-AU_T0_000A1

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Diodos Schottky de SiC PJ/10A065T/TP//HF/0.05K/TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH/SIC100W-QI01/PJ//TO220AC-AS06/TO220AC-AS01

Ciclo de vida:

NRND:

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Hoja de datos:

SIC10A065T-AU_T0_000A1 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220AC-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	400 A
Ir - Corriente inversa:	20 uA
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	Panjit
Dp - Disipación de potencia :	115 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Peso de la unidad:	1.890 g

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MXHTS:: 8541100199
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT Silicon-Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes with low forward-voltage and zero reverse recovery current ensure cooler system temperature under harsh operating conditions of power conversion systems. These SiC diodes feature low conduction and switching loss, high surge current capability, temperature-independent switching behavior, and positive temperature co-efficient on V_F. The SiC diodes are available at a range of 2A to 20A forward current (I_F) and 650V to 1200V Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) ratings. These hard switching and highly reliable diodes operate at high-frequency and offer high system efficiency. The SiC Schottky diodes are ideal for high-temperature applications.