20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8),  TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

Resultados: 116
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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859En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 225 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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4,119En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.2 mOhms, 7.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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34,133En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 81 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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2,295En existencias
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Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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2,548En existencias
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Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.73 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 38 nC - 55 C + 175 C 103 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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11,805En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 52 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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48,556En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
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997En existencias
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Si SMD/SMT H-PSOF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 770 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 221 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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4,742En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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2,422En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 16 V, 20 V 1.7 V 126 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
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5,210En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18.2 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
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9,432En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 3.6 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 48 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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3,505En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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7,872En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 13.7 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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5,899En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 4.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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10,916En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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2,805En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 99 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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13,772En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.26 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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7,590En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.11 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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5,538En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 900 uOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 140 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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9,432En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.21 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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11,829En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8-43 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 4.71 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 15 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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4,580En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.75 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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4,043En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.47 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)
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4,231En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 24.2 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel