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IDFW80C65D1XKSA1

Name: Infineon IDFW80C65D1XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDFW80C65D1XKSA1
Price: 6.47 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IDFW80C65D1XKSA1

Fabricante N.º:

IDFW80C65D1XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Diodos de Conmutación de Señal Baja HOME APPLIANCES

Hoja de datos:

IDFW80C65D1XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$6.47	$6.47
	$3.71	$37.10
	$3.16	$316.00
	$2.82	$1,353.60
	$2.80	$3,360.00
	$2.78	$7,339.20

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Diodos de Conmutación de Señal Baja
Producto:	Switching Diodes
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Tensión inversa máxima:	650 V
Sobrecorriente máx.:	320 A
If - Corriente directa:	40 A
Configuración:	Single
Tiempo de recuperación:	73 ns
Vf - Tensión directa:	1.45 V
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Dp - Disipación de potencia :	112 W
Tipo de producto:	Diodes - General Purpose, Power, Switching
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Alias de las piezas n.º:	IDFW80C65D1 SP005423480

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

IDFW80C65D1 650V Silicon Power Diode

Infineon Technologies IDFW80C65D1 650V Silicon Power Diode is an 80A Rapid 1 switching emitter-controlled device in a TO-247 advanced isolation package. The silicon power diode features low forward voltage, low reverse recovery charge, and low reverse recovery current. This IDFW80C65D1 power diode offers 2500V RMS electrical isolation voltage and 650V repetitive peak reverse voltage. The silicon power diode operates at -40°C to 175°C. This IDFW80C65D1 power diode is a 100% tested isolated mounting surface with Pb-free lead plating. Typical applications include motor control and drives, air conditioning, General Purpose Drives (GPD), and industrial SMPS.