Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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SQJA86EP-T1_GE3
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SQJ457EP-T1_GE3
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SQJ403BEEP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.60
2,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ411EP-T1_GE3

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78-SQJ411EP-T1_GE3

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SQJ416EP-T1_GE3
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1: $1.95
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SQJ416EP-T1_GE3

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78-SQJ416EP-T1_GE3

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SQJ952EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.85
1,496En existencias

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SQJ952EP-T1_GE3

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SQJA00EP-T1_GE3
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SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.78
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SQJ459EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ474EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.09
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SQJ474EP-T1_GE3

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78-SQJ474EP-T1_GE3

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7 mOhms
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11.2 mOhms
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15.5 mOhms
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