Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NVMFS5830NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5830NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5830NLWFT1G-UM
Price: 3.86 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-FS5830NLWFT1G-UM

Fabricante N.º:

NVMFS5830NLWFT1G-UM

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 40V, 185A, 2.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

NVMFS5830NLWFT1G-UM Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NVMFS5830NLWFT1G-UM

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 1,500

Se espera el 10/04/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 40

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$3.86	$3.86
	$2.50	$25.00
	$1.85	$185.00
	$1.55	$775.00
	$1.33	$1,330.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$1.33	$1,995.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	185 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	113 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	158 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	27 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	38 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	32 ns
Serie:	NVMFS5830NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVMFS5830NLWFT1G-UM Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

NVMFS5830NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS5830NL Single N-Channel Power MOSFET is a high-efficiency power MOSFET designed for demanding power management applications. Utilizing advanced trench technology, the onsemi NVMFS5830NL delivers exceptionally low R_DS(on) performance (2.3mΩ at V_GS = 10V), making the MOSFET ideal for minimizing conduction losses in high-current systems. The 5mm x 6mm x 1mm, flat-lead SO-8FL package enhances thermal performance and board space efficiency, while the low gate charge and fast switching characteristics contribute to improved overall system efficiency. A wettable flank option is available for enhanced optical inspection. With the combination of high current capability, low switching losses, and a compact footprint, the NVMFS5830NL is well-suited for use in motor control applications and high-/low-side load switches.