NVMFS5830NLWFT1G-UM

onsemi
863-FS5830NLWFT1G-UM
NVMFS5830NLWFT1G-UM

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Modelo ECAD:
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En existencias: 1,050

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.97 $3.97
$2.56 $25.60
$1.83 $183.00
$1.53 $765.00
$1.42 $1,420.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$1.33 $1,995.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
185 A
2.3 mOhms
20 V
2.4 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
158 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
País de ensamblaje: MY
País de difusión: TW
País de origen: MY
Tiempo de caída: 27 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 38 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 32 ns
Serie: NVMFS5830NL
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
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Atributos seleccionados: 0

MXHTS:
8541299900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99