Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Resultados: 236
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 80V 26A
4,500Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 26 A 31 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 13.5 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 17.6A
3,000Se espera el 29/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 17.6 A 32.4 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 17A
4,500Se espera el 07/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 43 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 6 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 70A
1,500Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 5.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 18 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 64A
3,000Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64 A 7.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 16.2 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 11.8A
1,465Se espera el 19/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 11.8 A 98 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 6.2 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y21-40E/SOT669/LFPAK
6,000Se espera el 19/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 17 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 7 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y38-100E/SOT669/LFPAK
1,500Se espera el 07/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 31.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 21.6 nC - 55 C + 175 C 94.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R6-40E/SOT669/LFPAK
3,000Se espera el 27/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 79 A 6.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 1.1A N-CH TRENCH
6,840En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.1 A 715 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 4.7A
9,000Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 32 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 6.2 nC - 55 C + 150 C 1.05 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV100ENEA/SOT23/TO-236AB
2,950Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 54 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.5 nC - 55 C + 150 C 4.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 2.1A
3,000Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.1 A 123 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 1.05 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 1.5A
12,271Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 1.5 A 222 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 950 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 5.5A
6,000Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.5 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 150 C 1.19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y102-100B/SOT669/LFPAK Plazo de entrega 3 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 15 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12.2 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 49A Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 49 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK764R0-40E/SOT404/D2PAK No en existencias
Min.: 4,800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 40 V Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK764R2-80E/SOT404/D2PAK No en existencias
Min.: 4,800
Mult.: 4,800
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 80 V Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 15.4A Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 2 Channel 60 V 15.4 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9.2 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 12A N-CH MOSFET Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 65A Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 65 A 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 44.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 56A Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 55 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 39A Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 39 A 16.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25.9 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 25A Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 25 A 29.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel