Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Resultados: 236
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
8,985Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 22 A 32 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 40A
2,998Se espera el 30/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5 mOhms, 5 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 54A
11,954Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 54 A 12 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 11.5A
11,986Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 11.5 A 119 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 8.8 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 80V 37A
7,485Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 37 A 23 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 7.1 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 29A N-CH
13,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 34 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 24.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 25A
7,500Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 43 mOhms - 10 V, 10 V 8.2 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 12.8A
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12.8 A 68 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 4.4 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y25-60E/SOT669/LFPAK
12,000Se espera el 14/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 21.5 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 12 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y25-80E/SOT669/LFPAK
8,531Se espera el 07/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 37 A 22.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 17.1 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y41-80E/SOT669/LFPAK
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 24 A 35.7 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 11.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 6.3A
51,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.3 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 9.9 nC - 55 C + 150 C 1.19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A
131,995En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 34 mOhms - 8 V, 8 V 750 mV 11 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 3.5A
11,604Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.5 A 55 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 11 nC - 55 C + 150 C 930 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 4.2A
53,980Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.2 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.8A
26,926Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.3 A 67 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 9 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX2301P/SOT23/TO-236AB
148,996Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 120 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 4.5 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8015 N-CH 60V .72A
44,945En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 720 mA 850 mOhms - 16 V, 16 V 2.6 V 610 pC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V .23A
29,852Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 230 mA 7.8 Ohms - 8 V, 8 V 600 mV 550 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1118 NCH 20V 4.5A
6,000Se espera el 11/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 34 mOhms - 10 V, 10 V 900 mV 6.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1118 2NCH 30V 3.1A
9,000Se espera el 11/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 2 Channel 30 V 3.1 A, 31 A 55 mOhms, 55 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 5 nC - 55 C + 150 C 8.33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 7.5A
2,605Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.5 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 15 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 1.9A
6,000Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 2.8 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 4A
8,986En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .8A
23,924Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 800 mA 380 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 466 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel