Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Resultados: 236
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138BKW/SOT323/SC-70 29,243En existencias
48,000Se espera el 19/03/2026
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 480 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138PW/SOT323/SC-70 5,848En existencias
174,000Se espera el 20/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 900 mV 720 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS84AKS/SOT363/SC-88 176En existencias
39,000Se espera el 20/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSSOP-6 P-Channel 2 Channel 50 V 160 mA 7.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 280 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y3R5-40E/SOT669/LFPAK 82En existencias
3,000Se espera el 30/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 49.4 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 87A 178En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 87 A 8.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 46 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K45-100E/SOT1205/LFPAK56D 1,947En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 21 A 38.3 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y09-40B/SOT669/LFPAK 2,269En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 9 mOhms - 15 V, 15 V 2.15 V 30 nC - 55 C + 175 C 105.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK 1,287En existencias
1,500Se espera el 23/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 9.5 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 64 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK 1,437En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 69 A 12.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK 84En existencias
4,500Se espera el 16/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 122 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK 537En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 18 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 39 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y22-100E/SOT669/LFPAK 1,620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 49 A 17.4 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 35.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK 2,674En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 25 A 25.8 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 5 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y30-75B/SOT669/LFPAK 327En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 75 V 34 A 28 mOhms - 15 V, 15 V 1.1 V 19 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y3R5-40E/SOT669/LFPAK 1,253En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.6 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 30.2 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y40-55B/SOT669/LFPAK 1,186En existencias
1,500Se espera el 23/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 55 V 18 A 36 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y65-100E/SOT669/LFPAK 2,944En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 19 A 51.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y72-80E/SOT669/LFPAK 413En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 15 A 65 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R2-60E/SOT669/LFPAK 373En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 5.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R7-60E/SOT669/LFPAK 999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 6.8 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDPB55XPA/SOT1118/HUSON6 242En existencias
3,000Se espera el 06/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 P-Channel 2 Channel 20 V 9.3 A 66 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3A 337En existencias
3,000Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.4 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 2.8A 13En existencias
3,000Se espera el 08/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 4.1 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002BKV/SOT666/SOT6 15,900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-666-6 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX1029X/SOT666/SOT6 2,159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-666-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V, 50 V 300 mA, 170 mA 1.6 Ohms, 7.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 250 pC, 500 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel