Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NDSH40120CDN

Name: onsemi NDSH40120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH40120CDN
Price: 21.41 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NDSH40120CDN

Fabricante N.º:

NDSH40120CDN

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 40 A, 1200 V, D3, TO-247-3L

Hoja de datos:

NDSH40120CDN Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NDSH40120CDN

En existencias: 1,198

Existencias:: 1,198 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 11 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$21.41	$21.41
	$14.98	$149.80
	$13.21	$1,321.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3LD
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
If - Corriente directa:	52 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.36 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	123 A
Ir - Corriente inversa:	2.39 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH40120CDN
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	217 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NDSH40120CDN Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Cloud Power Management Solutions

onsemi Cloud Power Management Solutions offers computing and connectivity essential for infrastructure. onsemi Cloud Power Management Solutions' power is critical for processors, memory banks, and wireless base stations. As operations shift to the Cloud, the importance of efficiency and reliability grows. AI servers, in particular, require a reliable power source to ensure optimal performance and efficiency, making solutions crucial for maintaining the integrity and functionality of AI-driven operations. onsemi provides diverse solutions for AC-DC conversion, multiphase conversion, point-of-load supplies, and hot-swap protection to support various power needs in cloud infrastructure. Cutting-edge technology, dependable performance, and deep application expertise make onsemi an ideal partner for powering data in today’s environment, whether in base stations, servers, or data centers.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) NDSH40120CDN

El diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) NDSH40120CDN de onsemi proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor confiabilidad que el silicio. El diodo de onsemi no tiene corriente de recuperación inversa, características de conmutación independientes de la temperatura y un excelente rendimiento térmico. Los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, una frecuencia operativa más rápida, una mayor densidad de potencia, una EMI reducida y un menor tamaño y costo del sistema.