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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal


onsemi MOSFETs de SiC T2PAK SIC 650V M3S 23MOHM
Hoja de datos
596En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC T2PAK SIC 650V M3S 23MR
Hoja de datos
713En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement