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SCT3030ARC15

Name: ROHM Semiconductor SCT3030ARC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3030ARC15
Price: 28.55 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-SCT3030ARC15

Fabricante N.º:

SCT3030ARC15

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT3030ARC15 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$28.55	$28.55
	$23.36	$233.60
	$20.64	$2,064.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	39 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	104 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	262 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9.4 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	26 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns

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Hoja de datos

SCT3030ARC15 Hoja de datos

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. Their low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. These ROHM SiC Power MOSFETs exhibit minimal ON-resistance increases and provides greater package miniaturization. This provides more energy savings than standard Si devices, in which the ON-resistance can more than double with increased temperature.