Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: $5.60
2,575En existencias

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STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Cinta cortada

$5.60

$3.69

$2.61

$2.39

Envase tipo carrete

$2.02

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 10 V, 10 V

3 V

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N240K6
STMicroelectronics
1: $7.71
23En existencias
1,000Se espera el 17/02/2026
Nuevo producto

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STF80N240K6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

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1,000Se espera el 17/02/2026

$7.71

$5.82

$4.71

$4.19

$3.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N1K1K6
STMicroelectronics
1: $3.20
1,003En existencias
Nuevo producto

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STF80N1K1K6

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511-STF80N1K1K6

Nuevo producto

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$3.20

$2.04

$1.39

$1.16

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

MDmesh

Tube

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STF80N600K6
STMicroelectronics
1: $4.13
1,047En existencias
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STF80N600K6

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511-STF80N600K6

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$4.13

$2.69

$2.05

$1.72

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Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

MDmesh

Tube

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STD80N240K6
STMicroelectronics
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364En existencias
2,500Se espera el 17/08/2026

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STD80N240K6

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511-STD80N240K6

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364En existencias

2,500Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

$6.72

$4.93

$3.98

$3.54

$3.03

Envase tipo carrete

$3.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

105 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STD80N450K6
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1: $5.43
816En existencias

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STD80N450K6

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511-STD80N450K6

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Cinta cortada

$5.43

$3.56

$2.67

$2.37

$2.03

Envase tipo carrete

$1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STP80N1K1K6
STMicroelectronics
1: $3.09
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STP80N1K1K6

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511-STP80N1K1K6

STMicroelectronics

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$3.09

$2.00

$1.37

$1.09

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Tube

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STP80N600K6
STMicroelectronics
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STP80N600K6

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511-STP80N600K6

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$4.11

$2.08

$1.92

$1.61

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

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STP80N450K6
STMicroelectronics
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229En existencias

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STP80N450K6

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511-STP80N450K6

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$3.09

$2.80

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

Enhancement

Tube

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STP80N240K6
STMicroelectronics
1: $8.01
75En existencias
1,000Se espera el 21/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP80N240K6

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511-STP80N240K6

STMicroelectronics

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$4.33

$3.97

$3.32

$3.22

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

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STP80N340K6
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

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STP80N340K6

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511-STP80N340K6

STMicroelectronics

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$2.22

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TO-220-3

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800 V

12 A

340 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N900K6
STMicroelectronics
1,000: $1.09
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP80N900K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N900K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

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$1.05

$1.03

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Mult.: 1,000

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TO-220-3

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

Tube

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