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SQS486CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQS486CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQS486CENW-T1_GE3
Price: 1.77 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQS486CENW-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQS486CENW-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQS486CENW-T1_GE3 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.77	$1.77
	$1.12	$11.20
	$0.74	$74.00
	$0.579	$289.50
	$0.527	$527.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.402	$1,206.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8W
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	35.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	62.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	68 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7 ns
Serie:	SQS
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	43 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

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Hoja de datos

SQS486CENW-T1_GE3 Hoja de datos

Technical Resources

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQS486CENW Automotive N-Ch 40V TrenchFET® MOSFET

Vishay / Siliconix SQS486CENW Automotive N-Ch 40V TrenchFET^® MOSFET is an AEC-Q101 qualified TrenchFET Gen IV power MOSFET. The device offers 18A I_D and 40V V_DS. The SQS486CENW is 100% R_g and UIS tested.