MOSFET de canal N de nivel lógico de 30 V a 60 V MCACx

Los MOSFET de canal N de nivel lógico de 30 V a 60 V MCACx de Micro Commercial Components (MCC) cuentan con tecnología MOSFET tipo trinchera de puerta dividida (SGT). Estos MOSFET ofrecen beneficios exclusivos para los ingenieros que buscan conducirlos directamente por MCU a través de puertos de entrada/salida. Los MOSFET MCACx funcionan a un rango máximo de voltaje de umbral de puerta de 1.2 V a 2.5 V y a un rango de resistencia térmica máxima de unión a carcasa de 1.2 °C/W a 1.6 °C/W. Estos MOSFET resuelven desafíos de diseño, a la vez que mejoran la operación y la eficiencia en una gama de aplicaciones. Los MOSFET MCACx ofrecen bajos valores RDS(on) de 1.1 mΩ a 2.7 mΩ para minimizar las pérdidas. Estos MOSFET cumplen con las normas RoHS y se incluyen en un paquete DFN5060 de alta potencia que garantiza la idoneidad para las necesidades de diseño compacto. Las aplicaciones típicas incluyen sistemas de administración de baterías, controles de iluminación, controles de motores, convertidores CC-CC y conmutadores de baja tensión.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060 4,943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 240 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060 4,978En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 89 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060 4,852En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 49 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape