TK095N65Z5,S1F
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757-TK095N65Z5S1F
TK095N65Z5,S1F
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm
Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Hoja de datos:
En existencias: 30
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $9.00 | $9.00 | |
| $6.07 | $60.70 | |
| $5.10 | $612.00 | |
| $4.64 | $2,366.40 |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Drive Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
- MXHTS:
- 8541299900
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
México
