Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Q_g), very low recovery charge (Q_rr), low recovery time (t_rr), and an excellent R_DS(on) per area.

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Id - Corriente de drenaje continua

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

STW65N60DM6
STMicroelectronics
1: $9.00
508En existencias

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STW65N60DM6

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511-STW65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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$9.00

$6.29

$5.07

$4.34

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

71 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA65N60DM6
STMicroelectronics
1: $9.36
589En existencias

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STWA65N60DM6

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511-STWA65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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589En existencias

$9.36

$6.92

$5.59

$4.86

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

71 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL45N60DM6
STMicroelectronics
1: $9.45
2,682En existencias

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STL45N60DM6

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511-STL45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Cinta cortada

$9.45

$6.57

$5.04

$4.88

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Envase tipo carrete

$3.91

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW75N60DM6
STMicroelectronics
1: $13.42
390En existencias

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STW75N60DM6

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511-STW75N60DM6

STMicroelectronics

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390En existencias

$13.42

$10.02

$8.23

$7.59

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP26N60DM6
STMicroelectronics
1: $5.92
488En existencias

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STP26N60DM6

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511-STP26N60DM6

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$5.92

$3.91

$2.38

$2.21

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

195 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW70N60DM6
STMicroelectronics
1: $13.81
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STW70N60DM6

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511-STW70N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

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$13.81

$9.45

$6.98

$5.10

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

42 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

99 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

MDmesh

Tube

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STF26N60DM6
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1,000: $1.94
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

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STF26N60DM6

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511-STF26N60DM6

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$1.94

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

195 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

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STW75N60M6-4
STMicroelectronics
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Plazo de entrega 16 Semanas

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STW75N60M6-4

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511-STW75N60M6-4

STMicroelectronics

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$14.43

$10.09

$7.57

$6.93

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA68N60M6
STMicroelectronics
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STWA68N60M6

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511-STWA68N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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TO-247-3

N-Channel

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600 V

63 A

41 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA70N60DM6
STMicroelectronics
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STWA70N60DM6

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511-STWA70N60DM6

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$5.08

Min.: 600
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

42 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

99 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

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