Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Q_g), very low recovery charge (Q_rr), low recovery time (t_rr), and an excellent R_DS(on) per area.

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Id - Corriente de drenaje continua

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

STW65N60DM6
STMicroelectronics
1: $10.92
483En existencias

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STW65N60DM6

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511-STW65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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483En existencias

$10.92

$7.42

$5.45

$5.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

71 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL45N60DM6
STMicroelectronics
1: $10.36
2,662En existencias

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STL45N60DM6

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511-STL45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Cinta cortada

$10.36

$6.67

$5.36

$4.94

$4.49

Envase tipo carrete

$4.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA65N60DM6
STMicroelectronics
1: $10.37
585En existencias

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STWA65N60DM6

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511-STWA65N60DM6

STMicroelectronics

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$10.37

$6.97

$5.04

$4.72

$4.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

71 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP26N60DM6
STMicroelectronics
1: $6.33
486En existencias

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STP26N60DM6

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511-STP26N60DM6

STMicroelectronics

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486En existencias

$6.33

$4.19

$2.55

$2.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

195 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW75N60DM6
STMicroelectronics
1: $14.77
270En existencias

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STW75N60DM6

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511-STW75N60DM6

STMicroelectronics

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$14.77

$10.41

$7.83

$7.58

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW70N60DM6
STMicroelectronics
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STW70N60DM6

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511-STW70N60DM6

STMicroelectronics

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$12.56

$8.59

$7.01

$5.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

42 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

99 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package

STF26N60DM6
STMicroelectronics
1: $5.86
Plazo de entrega 18 Semanas

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STF26N60DM6

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511-STF26N60DM6

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$5.86

$3.87

$2.34

$2.17

$2.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

195 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW75N60M6-4
STMicroelectronics
600: $7.77
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

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STW75N60M6-4

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511-STW75N60M6-4

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA68N60M6
STMicroelectronics
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STWA68N60M6

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511-STWA68N60M6

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$9.04

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N-Channel

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600 V

63 A

41 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

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STWA70N60DM6
STMicroelectronics
600: $6.28
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STWA70N60DM6

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511-STWA70N60DM6

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$6.28

$6.06

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

42 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

99 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

MDmesh

Tube

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