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NVHL025N65S3

Name: onsemi NVHL025N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL025N65S3
Price: 25.56 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVHL025N65S3

Fabricante N.º:

NVHL025N65S3

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V

Hoja de datos:

NVHL025N65S3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	75 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	236 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	595 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	SuperFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	107 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	78.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	109 ns
Serie:	SPM3
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	120 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	43.3 ns
Peso de la unidad:	6 g

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Hoja de datos

NVHL025N65S3 Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET® III

onsemi NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET^® III is an easy-drive, high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET that utilizes charge balance technology. This SUPERFET provides outstanding low ON-resistance and low gate charge performance. The NVHL025N65S3 SUPERFET minimizes conduction loss, offers good switching performance, and withstands extreme dv/dt rate. This SUPERFET manages EMI issues and allows for easy design implementation. Typical applications include automotive PHEV-BEV DC/DC converter and automotive onboard charger for PHEV-BEV.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.