DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Resultados: 113
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 88.3 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11.5 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 265 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W DTMOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms 104 W DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube