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NTBL032N065M3S

Name: onsemi NTBL032N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL032N065M3S
Price: 10.75 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBL032N065M3S

Fabricante N.º:

NTBL032N065M3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 32MOHM 650V M3S

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

NTBL032N065M3S Hoja de datos

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	$6.53	$653.00
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	$4.95	$9,900.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H-PSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	55 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	44 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	55 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	227 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	NTBL032N065M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	31 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.8 ns

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Hoja de datos

NTBL032N065M3S Hoja de datos

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for fast switching applications, offering reliable performance with negative gate voltage drive and turn-off spikes. onsemi NTBL032N065M3S MOSFETs are optimized for an 18V gate drive and also perform well with a 15V drive. The TOLL package enhances thermal and switching performance with its Kelvin Source configuration and reduced parasitic source inductance. The devices also meet Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1) standards.