TP65B110HRU-TR

Renesas Electronics
227-TP65B110HRU-TR
TP65B110HRU-TR

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Empaque:
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Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$10.37 $10.37
$7.31 $73.10
$5.92 $592.00
$5.25 $2,625.00
$4.34 $4,340.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$4.21 $6,315.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Renesas Electronics
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SuperGaN
Marca: Renesas Electronics
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: TP65B110HRU
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
MXHTS:
8541299900
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

TP65B110HRU Bi-Directional Switch (BDS)

Renesas Electronics TP65B110HRU Bi-Directional Switch (BDS) is a 650V and 110mΩ normally-off Gallium Nitride (GaN) BDS in a compact TOLT package. This BDS conducts current and blocks voltage in both directions, combining a high-voltage depletion-mode GaN with low-voltage normally-off silicon MOSFETs. The TP65B110HRU BDS is based on the SuperGaN® Gen 1 bidirectional platform.  This BDS delivers superior performance, standard gate‑drive compatibility, easy integration, and robust reliability. The TP65B110HRU BDS offers breakthrough integration, resulting in reduced component count, lower cost, and a smaller footprint. This BDS enables ultra-fast switching, high efficiency, and higher power density, and is ideal for MHz-class operation and compact magnetics. Typical applications include PV inverters, battery chargers, AI datacenter and telecom power supplies, motor drives, and UPS.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.