Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs

ROHM Semiconductor HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs offer dual N-channel or N-channel/P-channel transistor polarity. The HP8K and HT8K MOSFETs are available in small, surface-mount HSMT8 and HSOP8 backside heat-dissipating dual packages that provide low on-resistances and energy savings. Applications include single-/three-phase brushless motor drives or switching operations.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A

HT8KB6TB1
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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN

HT8KE6HTB1
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Enhancement

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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SMD/SMT

HSOP-8

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24 A

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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23 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KC7TB1
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24 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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HP8KE7TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Enhancement

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HP8MC5TB1
ROHM Semiconductor
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$2.57

$1.64

$1.11

$0.879

$0.807

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$0.767

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HSOP-8

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12 A

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HP8ME5TB1
ROHM Semiconductor
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HP8ME5TB1

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755-HP8ME5TB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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10,423En existencias

Cinta cortada

$2.59

$1.65

$1.11

$0.884

$0.813

Envase tipo carrete

$0.774

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

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2.9 nC, 19.7 nC

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+ 150 C

20 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KB5TB1
ROHM Semiconductor
1: $2.03
9,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HT8KB5TB1

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755-HT8KB5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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$2.03

$1.28

$0.854

$0.671

$0.612

Envase tipo carrete

$0.553

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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

40 V

12 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KC5TB1
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1: $2.04
6,782En existencias

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HT8KC5TB1

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755-HT8KC5TB1

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6,782En existencias

Cinta cortada

$2.04

$1.29

$0.858

$0.675

Envase tipo carrete

$0.559

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

60 V

10 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KC6TB1
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1: $2.76
3,755En existencias

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HT8KC6TB1

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755-HT8KC6TB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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3,755En existencias

Cinta cortada

$2.76

$1.77

$1.19

$0.949

$0.887

Envase tipo carrete

$0.844

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KE5TB1
ROHM Semiconductor
1: $2.05
5,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HT8KE5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KE5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Hoja de datos

5,978En existencias

Cinta cortada

$2.05

$1.29

$0.862

$0.68

Envase tipo carrete

$0.567

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

100 V

7 A

193 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KE6TB1
ROHM Semiconductor
1: $2.89
225En existencias
6,000Se espera el 21/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
HT8KE6TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KE6TB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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225En existencias

6,000Se espera el 21/05/2026

Cinta cortada

$2.89

$1.85

$1.27

$1.05

$0.937

Envase tipo carrete

$0.875

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

100 V

13 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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