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STGWA30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30M65DF2
Price: 1.56 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STGWA30M65DF2

Fabricante N.º:

STGWA30M65DF2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads

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Hoja de datos:

STGWA30M65DF2 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Serie:	STGWA30M65DF2
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	2 g

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STGWA30M65DF2 Hoja de datos (PDF)

PCN

MXHTS:: 85412999
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.