Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ202EP-T1_GE3
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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ900E-T1_GE3
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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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SQJ912BEP-T1_GE3
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SQ3585EV-T1_GE3
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AEC-Q101

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SQJ560EP-T1_GE3
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- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

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30 A

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AEC-Q101

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SQJQ906EL-T1_GE3
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1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJQ960EL-T1_GE3
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2 V

19 nC

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Enhancement

AEC-Q101

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SQJ968EP-T1_GE3
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42 W

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N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

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2.5 V

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+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ1902AEL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

780 mA

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ910AEP-T1_GE3
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N-Channel

2 Channel

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30 A

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ914EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ914EP-T1_GE3

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30 A

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ958EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ958EP-T1_GE3

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78-SQJ958EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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40 A

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+ 175 C

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AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJA34EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ740EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ740EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

123 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB00EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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6,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJB00EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQJA36EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA36EP-T2_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

40 V

350 A

1.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
3.57 A, 2.5 A
8 A
11.3 A
15 A
15 A, 40 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
23 A
23.5 A
30 A
30 A, 18 A
36 A
40 A

1.24 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms, 3.6 mOhms
4.5 mOhms, 11 mOhms
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
5.8 mOhms, 5.8 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
8.6 mOhms
9 mOhms
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms

700 pC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
2.5 nC, 3.5 nC
6.5 nC, 14.5 nC
7 nC
12 nC, 25 nC
15 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 50 nC
21 nC
22 nC, 54 nC
25 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
3.9 W
25 W
27 W
27 W, 48 W
34 W
35 W
42 W
45 W
48 W
50 W
62.5 W
68 W
71 W
75 W
93 W
135 W
187 W