Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
STF8NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
5 A
790 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
20 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
STI21N65M5
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Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
650 V
17 A
179 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
STP15N65M5
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
340 mOhms
85 W
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh M5
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
17 A
150 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
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Si
Through Hole
Max247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
96 A
19 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
350 nC
- 55 C
+ 150 C
625 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 60 Amp
STY60NM50
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 60 Amp
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Si
Through Hole
Max247-3
N-Channel
1 Channel
500 V
60 A
50 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
266 nC
- 65 C
+ 150 C
560 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
STP9NM60N
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NRND
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511-STP9NM60N
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
6.5 A
630 mOhms
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
STB11NM60FDT4
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511-STB11NM60FD
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
- 65 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
STB32N65M5
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511-STB32N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
95 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
STF7NM80
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511-STF7NM80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6.5 A
1.05 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
STF8N65M5
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511-STF8N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
7 A
600 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
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STW18NM60N
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N.º de artículo de Mouser
511-STW18NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Mult.: 600
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube