MOSFETs de SiC – Mouser México

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $46.89
1,073En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R008M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$46.89

$35.20

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$35.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $27.05
3,295En existencias

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IMBG120R017M2HXTMA1

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726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cinta cortada

$27.05

$19.53

$16.09

$15.82

Envase tipo carrete

$13.53

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $36.60
452En existencias
1,000Se espera el 17/06/2027

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IMBG120R012M2HXTMA1

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726-IMBG120R012M2HXT

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452En existencias

1,000Se espera el 17/06/2027

Cinta cortada

$36.60

$28.25

$23.52

$23.14

Envase tipo carrete

$18.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $21.03
386En existencias

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IMBG120R022M2HXTMA1

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386En existencias

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$21.03

$14.83

$12.71

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$12.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $18.03
1,673En existencias

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IMBG120R026M2HXTMA1

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1,673En existencias

Cinta cortada

$18.03

$12.61

Envase tipo carrete

$12.61

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $14.08
316En existencias

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IMBG120R040M2HXTMA1

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Infineon Technologies

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316En existencias

Cinta cortada

$14.08

$9.71

$7.54

Envase tipo carrete

$7.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
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1: $10.22
821En existencias

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IMBG120R078M2HXTMA1

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726-IMBG120R078M2HXT

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Hoja de datos

821En existencias

Cinta cortada

$10.22

$6.93

$5.06

$4.94

Envase tipo carrete

$4.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $8.80
627En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R116M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

627En existencias

Cinta cortada

$8.80

$5.68

$4.28

$4.04

Envase tipo carrete

$3.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $7.51
1,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R181M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

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Hoja de datos

1,702En existencias

Cinta cortada

$7.51

$5.02

$3.59

$3.28

Envase tipo carrete

$3.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $6.79
6,674En existencias

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IMBG120R234M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

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Cinta cortada

$6.79

$4.51

$3.21

$2.86

Envase tipo carrete

$2.85

$2.69

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: 1,000

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $11.73
1,968Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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1,968Se espera el 27/07/2026

Cinta cortada

$11.73

$8.01

$5.93

Envase tipo carrete

$5.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

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