MOSFETs de SiC – Mouser México

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $41.72
1,054En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R008M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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$35.58

$31.12

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$31.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $28.99
1,189En existencias

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IMBG120R012M2HXTMA1

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726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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$23.73

$20.96

Envase tipo carrete

$20.96

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $22.17
3,648En existencias

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IMBG120R017M2HXTMA1

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Infineon Technologies

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$22.17

$17.75

$15.34

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$15.34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $19.33
433En existencias

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IMBG120R022M2HXTMA1

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726-IMBG120R022M2HXT

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$19.33

$14.44

$12.48

$11.82

Envase tipo carrete

$10.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $15.98
1,900En existencias

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IMBG120R026M2HXTMA1

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$15.98

$13.00

$10.83

$9.66

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$8.19

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $12.39
475En existencias

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IMBG120R040M2HXTMA1

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475En existencias

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$12.39

$9.39

$7.83

$6.97

Envase tipo carrete

$6.21

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
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1: $9.18
1,651En existencias

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IMBG120R078M2HXTMA1

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726-IMBG120R078M2HXT

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Cinta cortada

$9.18

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$5.43

$4.82

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$4.13

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $7.89
752En existencias

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IMBG120R116M2HXTMA1

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726-IMBG120R116M2HXT

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752En existencias

Cinta cortada

$7.89

$5.51

$4.46

$3.95

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$3.39

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

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IMBG120R181M2HXTMA1
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1: $6.67
256En existencias
1,000Se espera el 05/03/2026

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IMBG120R181M2HXTMA1

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726-IMBG120R181M2HXT

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256En existencias

1,000Se espera el 05/03/2026

Cinta cortada

$6.67

$4.43

$3.37

$3.08

Envase tipo carrete

$2.59

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Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $6.10
259En existencias
5,000En pedido

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IMBG120R234M2HXTMA1

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726-IMBG120R234M2HXT

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5,000En pedido

Cinta cortada

$6.10

$4.03

$3.03

$2.74

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$2.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $10.82
9En existencias
2,000Se espera el 11/06/2026

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IMBG120R053M2HXTMA1

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726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

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9En existencias

2,000Se espera el 11/06/2026

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$7.58

$6.14

$5.75

Envase tipo carrete

$4.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

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