PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Qg and RDS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
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1En existencias
275Se espera el 20/07/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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208En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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74En existencias
300Se espera el 30/06/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
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34En existencias
3,810Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
1En existencias
720En pedido
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
3En existencias
300Se espera el 09/11/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
207En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
232En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Módulos MOSFET 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
550En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
292En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
1,380En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 14A N-CH POLAR3
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30Se espera el 08/07/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 16A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 22A N-CH POLAR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 7A
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH POLAR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3