MOSFETs de SiC – Mouser México

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Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado automotor de STMicroelectronics están desarrollados con la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2da/3ra generación de ST. Los dispositivos cuentan con bajo nivel de resistencia de encendido por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. Los MOSFET cuentan con una capacidad de temperatura en funcionamiento muy alta (TJ = 200°C), y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y sólido.

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Resultados: 18

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: $28.86
632En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT012W90G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT012W90G3-4AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

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632En existencias

$28.86

$18.19

$15.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: $32.46
413En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT016H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT016H120G3AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

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413En existencias

Cinta cortada

$32.46

$23.47

$23.11

$22.32

Envase tipo carrete

$20.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $29.59
224En existencias
600Se espera el 25/09/2026
Nuevo producto

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SCT020HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT020HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

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224En existencias

600Se espera el 25/09/2026

Cinta cortada

$29.59

$22.10

$19.11

Envase tipo carrete

$16.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $34.74
596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT015W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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596En existencias

$34.74

$27.81

$24.05

$22.76

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $26.30
362En existencias

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SCT020W120G3-4AG

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511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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362En existencias

$26.30

$16.45

$15.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $26.62
278En existencias
1,200Se espera el 31/08/2026

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SCT025W120G3-4AG

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511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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278En existencias

1,200Se espera el 31/08/2026

$26.62

$18.93

$16.32

$14.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: $24.64
403En existencias

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SCT025W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

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403En existencias

$24.64

$15.33

$14.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: $18.06
499En existencias

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SCT040W120G3AG

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511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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499En existencias

$18.06

$12.69

$9.82

Min.: 1
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Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: $28.61
43En existencias
1,000Se espera el 17/08/2026

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SCT012H90G3AG

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511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

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43En existencias

1,000Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

$28.61

$20.53

$18.64

$18.63

Envase tipo carrete

$17.64

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: $17.72
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040HU65G3AG

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511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

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Cinta cortada

$17.72

$12.36

$10.05

Envase tipo carrete

$9.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: $27.11
5En existencias
600Se espera el 11/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCTW40N120G2VAG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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5En existencias

600Se espera el 11/12/2026

$27.11

$14.85

$12.86

$12.12

$12.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: $36.44
1,197En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT011HU75G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT011HU75G3AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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1,197En pedido

Cinta cortada

$36.44

$25.26

$23.91

Envase tipo carrete

$22.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: $23.49
1,997Se espera el 12/10/2026
Nuevo producto

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SCT025H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025H120G3AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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1,997Se espera el 12/10/2026

Cinta cortada

$23.49

$16.94

$14.78

$14.18

Envase tipo carrete

$12.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: $17.72
996Se espera el 07/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

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996Se espera el 07/09/2026

Cinta cortada

$17.72

$12.36

$10.05

Envase tipo carrete

$9.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $18.79
1,200En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

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1,200En pedido

Cinta cortada

$18.79

$13.16

$11.58

Envase tipo carrete

$10.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: $17.59
1,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT055HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Hoja de datos

1,800En pedido

Cinta cortada

$17.59

$13.40

$11.17

Envase tipo carrete

$9.75

$9.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $18.81
1,199Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT070HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

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Hoja de datos

1,199Se espera el 28/09/2026

Cinta cortada

$18.81

$13.30

$11.00

Envase tipo carrete

$10.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: $16.78
100En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3-4

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

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100En pedido

$16.78

$11.26

$9.89

$8.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

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