Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

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950 V

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310 mOhms

- 30 V, 30 V

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61 nC

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125 W

Enhancement

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

13.3 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

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104 W

Enhancement

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

950 V

36.5 A

130 mOhms

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2.5 V

141 nC

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227 W

Enhancement

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

74.7 A

60 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

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446 W

Enhancement

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N-Channel

1 Channel

950 V

13.9 A

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- 30 V, 30 V

3.5 V

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+ 150 C

33 W

Enhancement

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N-Channel

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950 V

7.2 A

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- 30 V, 30 V

3.5 V

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+ 150 C

30 W

Enhancement

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IPA95R310PFD7XKSA1
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950 V

8.7 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

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- 55 C

+ 155 C

31 W

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1 Channel

950 V

36.5 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

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141 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

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950 V

17.5 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

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- 30 V, 30 V

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