Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA95R130PFD7XKSA1
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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

13.9 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

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IPB95R130PFD7ATMA1
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1,000Se espera el 13/07/2026

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MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

950 V

36.5 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

141 nC

- 55 C

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227 W

Enhancement

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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13.3 A

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- 30 V, 30 V

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Enhancement

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TO-247-3

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950 V

74.7 A

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Enhancement

Tube

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TO-220FP-3

N-Channel

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950 V

7.2 A

450 mOhms

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3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Tube

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

8.7 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 155 C

31 W

Enhancement

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IPD95R450PFD7ATMA1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

13.3 A

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- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

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36.5 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

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