Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology and offers a low threshold voltage with very fast switching. The BSH205G2 MOSFET is ideal for applications like relay drivers, high-speed line drivers and switching circuits.

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Resultados: 3

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2A/SOT23/TO-236AB BSH205G2AR Nexperia 1: $0.533 150,840En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSH205G2AR N.º de artículo de Mouser 771-BSH205G2AR	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2A/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia bsh205g2 mosfets	Hoja de datos	150,840En existencias	Cinta cortada $0.533 $0.239 $0.208 $0.155 Envase tipo carrete $0.114 Ver $0.099 $0.086 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	2.6 A	118 mOhms	8 V	900 mV	4.6 nC	- 55 C	+ 175 C	1.3 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2/SOT23/TO-236AB BSH205G2R Nexperia 1: $0.754 34,579Se espera el 22/01/2027	N.º de artículo del Fabricante BSH205G2R N.º de artículo de Mouser 771-BSH205G2R	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia bsh205g2 mosfets	Hoja de datos	34,579Se espera el 22/01/2027	Cinta cortada $0.754 $0.516 $0.326 $0.228 $0.207 Envase tipo carrete $0.159 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	2.3 A	170 mOhms	8 V	450 mV	6.5 nC	- 55 C	+ 150 C	890 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2/SOT23/TO-236AB BSH205G2VL Nexperia 1: $0.754 19,899Se espera el 22/01/2027	N.º de artículo del Fabricante BSH205G2VL N.º de artículo de Mouser 771-BSH205G2VL	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia bsh205g2 mosfets	Hoja de datos	19,899Se espera el 22/01/2027	Cinta cortada $0.754 $0.516 $0.326 $0.205 Ver Envase tipo carrete $0.12 $0.179 $0.159 $0.12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	2.3 A	170 mOhms	8 V	950 mV	6.5 nC	- 55 C	+ 150 C	890 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

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