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GP3D050B170B

Name: SemiQ GP3D050B170B
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3D050B170B
Price: 26.9 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

148-GP3D050B170B

Fabricante N.º:

GP3D050B170B

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

GP3D050B170B Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$26.90	$26.90
	$20.09	$200.90
	$17.37	$2,084.40
	$16.45	$8,389.50
1,020	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	50 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.7 kV
Vf - Tensión directa:	2.27 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	360 A
Ir - Corriente inversa:	42 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Dp - Disipación de potencia :	789 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.7 kV

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Hoja de datos

GP3D050B170B Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.

Diodo Schottky SiC de 1700 V QSiC™ GP3D050B170B

El diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) de 1700 V QSiC™ GP3D050B170B de SemiQ está disponible en un encapsulado TO-247-2L diseñado para satisfacer las exigencias de tamaño y potencia para una variedad de aplicaciones, como fuentes de alimentación en modo conmutación, fuentes de alimentación ininterrumpible (UPS), inversores solares y estaciones de carga de vehículos eléctricos (EV). Este diodo discreto tiene corriente de recuperación inversa cero y una pérdida de conmutación prácticamente nula, así como una mejor gestión térmica que reduce la necesidad de refrigeración. Gracias a esto, se pueden elaborar diseños altamente eficientes y de alto rendimiento que minimizan la disipación de calor del sistema, lo que permite el uso de disipadores de calor más pequeños para ahorrar espacio y costos. El módulo GP3D050B170B también admite configuraciones paralelas sencillas para mayor flexibilidad y escalabilidad en aplicaciones de potencia. El diodo Schottky SiC de 1700 V QSiC GP3D050B170B de SemiQ admite una conmutación rápida en un rango de temperatura en funcionamiento de unión de -55°C a 175°C.