Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF031N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $10.09
719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF031N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF031N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

719En existencias

Cinta cortada

$10.09

$6.71

$4.90

$4.63

Envase tipo carrete

$3.45

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO263-7

N-Channel

1 Channel

135 V

207 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF021N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $11.40
1,656En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF021N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF021N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1,656En existencias

Cinta cortada

$11.40

$8.10

$6.40

$6.12

Envase tipo carrete

$6.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO263-7

N-Channel

1 Channel

135 V

250 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $10.09
645En existencias
8,000Se espera el 09/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

645En existencias

8,000Se espera el 09/07/2026

Cinta cortada

$10.09

$6.71

$4.91

$4.25

Envase tipo carrete

$3.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $13.72
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC020N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

503En existencias

Cinta cortada

$13.72

$9.37

$7.72

$6.89

$6.44

Envase tipo carrete

$6.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

135 V

297 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $13.14
1,224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG020N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1,224En existencias

Cinta cortada

$13.14

$8.98

$7.41

$6.60

$6.18

Envase tipo carrete

$6.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

135 V

297 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG029N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $10.54
1,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG029N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG029N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1,695En existencias

Cinta cortada

$10.54

$7.42

$6.01

$5.34

$4.73

Envase tipo carrete

$4.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

135 V

212 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.23
5,528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

5,528En existencias

Cinta cortada

$8.23

$5.45

$3.97

$3.41

Ver

Envase tipo carrete

$2.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

172 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC046N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.09
3,763En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC046N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC046N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

3,763En existencias

Cinta cortada

$8.09

$5.34

$3.89

$3.34

Ver

Envase tipo carrete

$2.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

142 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP073N13NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $5.73
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP073N13NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP073N13NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

500En existencias

$5.73

$3.35

$2.44

$1.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

135 V

98 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ143N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.01
495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ143N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ143N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

495En existencias

Cinta cortada

$5.01

$3.25

$2.29

$1.91

Ver

Envase tipo carrete

$1.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

54 A

14.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

21 nC

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte