IRL Power MOSFETs

Vishay IRL Power MOSFETs offer an optimal balance of fast switching, rugged design, low on-resistance, and cost efficiency. The Vishay IRL MOSFETs are available in SOT-223 and DPAK packages. These MOSFETs support surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The SOT-223 package features an enlarged tab for improved thermal performance, enabling power dissipation exceeding 1.25W, while the DPAK package allows for power dissipation up to 1.5W in typical applications. The IRLU and SiHLU series also provide a straight-lead option for through-hole mounting.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
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90,733En existencias
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
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5,328En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 30 Amp
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1,186En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 28 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 66 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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2,060En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 1.5 Amp
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32,720En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
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5,900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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2,937En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
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5,540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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11,356En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 8A
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162En existencias
3,000En pedido
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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5En existencias
18,000Se espera el 29/10/2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 N-CH 60V 2.7A
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32,490En pedido
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 2.7 Amp
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9,750Se espera el 05/10/2026
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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9,132Se espera el 12/10/2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 4.3 Amp
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Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
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Min.: 1
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Carrete: 3,000
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Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
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Min.: 1
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No
Si Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
No
Si Through Hole TO-251-3 Tube